PDAI?（1,3 - 丙二胺二氢碘酸盐，Propane-1,3-diammonium diiodide，CAS 号：120675-53-8）是一种双碘化铵盐，其分子结构为 NH?(CH?)?NH??2HI，包含两个碘化铵基团连接在丙烷链的两端。作为钙钛矿光电器件领域的重要界面工程材料，PDAI?凭借其独特的双阳离子结构和多重钝化机制，在提升器件效率与稳定性方面表现突出。以下是其核心定义及特征的深度解析：

一、化学定义与分子结构

1. 分子组成与结构特征

• 双阳离子设计：PDAI?的分子骨架由丙烷链（-CH?CH?CH?-）连接两个碘化铵基团（NH??I?）构成，形成对称的双阳离子结构（C?H??N?I?）。这种设计使其在钙钛矿界面具有双重钝化能力 —— 两个铵基可同时与表面缺陷位点结合，显著提升钝化效率。
• 静电吸附与氢键协同：铵基的正电荷（NH??）与钙钛矿表面的碘空位（I?）通过静电作用结合，而丙烷链的氢原子可与钙钛矿晶格中的铅离子（Pb2?）形成氢键（键长约 2.72 ?），进一步增强界面粘附力。
• 空间位阻效应：丙烷链的柔性结构在钝化过程中可调节钙钛矿表面的应力分布，抑制晶界处的应力集中，从而减少裂纹扩展和相分离风险。

2. 物理化学性质

• 溶解性：易溶于 N,N - 二甲基甲酰胺（DMF）、二甲基亚砜（DMSO）等极性溶剂，适合溶液旋涂或浸涂工艺。其溶液浓度通?？刂圃?0.04–0.08 M 以平衡钝化效果与成膜质量。
• 热稳定性：纯 PDAI?在高温下（>150°C）可能发生去质子化，但通过脒基化改性（如转化为 PDII?）可将分解温度提升至 220°C 以上，适用于钙钛矿常用的退火工艺（≤150°C）。

二、在钙钛矿器件中的核心应用特征

1. 双位点协同钝化机制

• 缺陷修复能力：
  PDAI?的双铵基可同时修复钙钛矿表面的铅空位（Pb2?）和碘空位（I?）。例如，在 Cs?.??MA?.??FA?.?PbI?体系中，PDAI?处理后缺陷态密度从 3.5×101? cm?3 降至 1.2×101? cm?3 以下，光致发光（PL）寿命从 25.6 ns 延长至 89.3 ns。
• 抑制非辐射复合：
  通过静电吸附和氢键作用，PDAI?可降低界面处的载流子复合速率。在反式钙钛矿电池中，其处理后的器件开路电压（V?C）从 1.12 V 提升至 1.39 V，填充因子（FF）从 68.5% 提升至 72.8%。

2. 界面能级调控与电荷传输优化

• 能带匹配优势：
  PDAI?的功函数（约 4.8 eV）与钙钛矿价带顶（约 5.2 eV）接近，可减少空穴传输层（如 Spiro-OMeTAD）与钙钛矿之间的能级失配。南京大学团队研究表明，PDAI?处理可使界面电荷转移效率提升 30% 以上。
• 载流子迁移率提升：
  PDAI?诱导钙钛矿沿（100）晶面优先生长，形成高载流子迁移率的立方相结构。例如，（100）取向钙钛矿的电子迁移率比随机取向提高 2 倍以上，达 200 cm2/(V?s)。

3. 抗辐射与环境稳定性强化

• 空间应用潜力：
  在质子轰击环境下，PDAI?通过稳定钙钛矿的 A 位阳离子（如 FA?），减少其分解和挥发性副产物的生成。韩国团队研究显示，经 PDAI?处理的宽带隙钙钛矿在质子辐照（1 MeV，1×1013 protons/cm2）后仍保持 85% 的初始效率，而未处理器件效率损失超过 50%。
• 高湿度耐受性：
  PDAI?的疏水性（接触角约 75°）可有效阻挡水汽渗透。在 85% 相对湿度下储存 1000 小时后，其处理的器件仍保持初始效率的 85% 以上，是未处理器件的 3 倍。

三、与其他钝化剂的差异化优势

1. 对比传统单铵盐钝化剂（如 BAI）

• 双重钝化能力：
  PDAI?的双铵基提供更强的静电吸附，钝化效率比单铵盐（如丁基碘化铵，BAI）高 40% 以上。例如，在 CsPbI?体系中，PDAI?处理的器件 PLQY 从 35% 提升至 68%，而 BAI 处理仅提升至 52%。
• 热稳定性优化：
  脒基化改性后的 PDAI?衍生物（如 PDII?）在 85°C 下的寿命超过 1100 小时，显著优于 BAI 的 500 小时。

2. 对比含硫钝化剂（如 2-ThEAI）

• 界面兼容性提升：
  PDAI?的丙烷链与钙钛矿表面的相互作用更温和，不易引发晶格畸变。例如，在铅锡钙钛矿（Cs?.?FA?.?Pb?.?Sn?.?I?）中，PDAI?处理的器件在 50°C 下连续工作 680 小时后仍保持 80% 的初始性能，而 2-ThEAI 处理的器件仅保持 65%。
• 能带匹配优势：
  PDAI?的功函数（4.8 eV）比 2-ThEAI（4.5 eV）更接近钙钛矿价带顶，可减少界面电荷积累，降低器件的串联电阻（R?）。

四、技术挑战与研究进展

1. 合成工艺优化

• 产率提升：
  当前 PDAI?的合成需通过丙二胺与氢碘酸的中和反应，产率约 70%。研究团队正探索电化学合成路线，目标将产率提升至 85% 以上并降低成本（从$50/g降至$20/g）。
• 杂质控制：
  丙二胺的氧化副产物（如丙二酸）可能影响钝化效果。通过柱层析或重结晶纯化，可将杂质含量控制在 0.1% 以下。

2. 大面积制备兼容性

• 溶液工艺优化：
  在卷对卷（R2R）涂布中，需调节 PDAI?溶液的表面张力（通过添加 0.1% 表面活性剂）和干燥动力学，以减少厚度均匀性误差（从 ±12% 降至 ±5%）。
• 界面扩散控制：
  疏水性丙烷链可能导致 PDAI?在钙钛矿表面的扩散速率较慢。武汉大学团队通过超声辅助沉积技术，将界面反应时间从 30 分钟缩短至 5 分钟，同时保持钝化效果。

3. 分子修饰与功能拓展

• 脒基化改性：
  将 PDAI?转化为脒基衍生物（如 PDII?）可增强 N-H 键稳定性，使其去质子化平衡常数降低 10 倍以上。例如，PDII?处理的器件在 85°C 光照老化后 PLQY 保持率从 35% 提升至 70%。
• 复合封装技术：
  PDAI?与 Al?O?/PDMS 双层封装结合，可将器件抗紫外老化时间从 500 小时延长至 2000 小时以上，适用于户外光伏系统。
• PDAI?凭借其双碘化铵结构和多重钝化机制，在钙钛矿光电器件中实现了高效缺陷修复与界面优化的双重突破。其在宽带隙电池、抗辐射器件及柔性电子中的优异表现，预示着其在下一代光电子技术中的广泛应用前景。尽管在合成成本和大面积制备工艺上仍需改进，PDAI?已成为钙钛矿界面工程领域极具潜力的候选材料。随着分子修饰技术和复合封装策略的发展，PDAI?有望在叠层电池、空间光伏等领域发挥更大作用，推动钙钛矿技术的产业化进程。

本文引用地址：https://www.perfemiker.cn/product/1572232.html

联系方式：4006087598